型号:SMUN5211DW1T1G | 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:* | 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363 |
详细参数
类别 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
---|---|
描述 | TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363 |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
电流_集电极(Ic)111最大222 | 100mA |
电压_集电极发射极击穿111最大222 | 50V |
电阻器_基极(R1)111欧222 | 10k |
电阻器_发射极(R2)111欧222 | 10k |
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE) | 35 @ 5mA,10V |
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 250mV @ 300µA,10mA |
电流_集电极截止111最大222 | 500nA |
频率_转换 | - |
功率_最大 | 187mW |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
供应商设备封装 | * |
包装 | * |
供应商
深圳市展鹏富裕科技有限公司 | 陈丹0755-82573702 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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