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电子元器件详细资料 » IC[28122] » SMUN5211DW1T1G
型号:SMUN5211DW1T1G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:*描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 NPN(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22210k
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)35 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大187mW
安装类型*
封装/外壳*
供应商设备封装*
包装*

SMUN5211DW1T1G相关型号

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